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Mit dem Erreichen der Grenzen der konventionellen MOSFET-Skalierung werden neue Techniken untersucht, um die Leistungsfähigkeit der CMOS-Technologie dem bisherigen Trend folgend weiter zu steigern. Einer dieser Ansätze ist die Verwendung mechanischer Verspannungen im Transistorkanal. Mechanische Verspannungen führen zu Kristalldeformationen und ändern die elektronische Bandstruktur von Silizium, so dass n- und p-MOSFETs mit verspannten Kanälen erhöhte Ladungsträgerbeweglichkeiten und demzufolge eine gesteigerte Leistungsfähigkeit aufweisen. Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit den Auswirkungen mechanischer Verspannungen auf die elektronischen Eigenschaften planarer Silicon-On-Insulator-MOSFETs für Höchstleistungsanwendungen sowie mit deren Optimierung und technologischen Begrenzungen. Die unterschiedlichen Konzepte zur Erzeugung der Verspannung werden kurz rekapituliert. Wesentliche Parameter für eine Erhöhung der Verspannung werden mit Hilfe von Experimenten und numerischen Simulationen bestimmt und technologische Herausforderungen bei der Prozessintegration diskutiert.

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wurde 1981 in Dresden geboren.Er studierte Kommunikationstechnik an der Hochschule für Technik und Wirtschaft Dresden und promovierte 2010 am Institut für Festkörperelektronik an der TU Dresden. Seitdem ist er für GLOBALFOUNDRIES Dresden in der Technologieentwicklung tätig.

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