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Desafiantes questäes das propriedades eletrônicas de sistemas nanoscópicos anelares sÆo abordadas em cálculos e experimentos, onde procedimentos, que vÆo desde o crescimento e síntese por MBE (molecular beam epitaxy) à caracteriza‡Æo estrutural e óptica, se interligam. O presente texto sistematiza o estudo das propriedades eletrônicas e ópticas de sistemas semicondutores quase-zero-dimensionais com confinamento anelar, através da utiliza‡Æo de métodos de cálculo de estrutura eletrônica utilizando o modelo k.p, o que permite elucidar efeitos de tensÆo na modula‡Æo dos perfis de potencial e da estrutura eletrônica, de campos magnéticos aplicados, nos estados de spin, além de efeitos relativos à composi‡Æo e confinamento.

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Doutorando em Física pelo Departamento de Física da Universidade Federal de SÆo Carlos (UFSCar), atuando como teórico na área de Física da Matéria Condensada, Mestre em Física pela UFSCar, trabalhando com estrutura de bandas em semicondutores, e graduado em Física pela Universidade Estadual de Santa Cruz, trabalhando na área de Física Médica.

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