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Para tecnologias CMOS iguais ou menores que 22 nm, os dispositivos de efeito de campo verticais de múltiplas portas (MuGFETs) têm sido apontados como uma alternativa para substituir os dispositivos planares fabricados em lâminas de silício convencionais ou de Silício Sobre Isolante (SOI). No entanto, a escolha do melhor tipo de substrato é difícil devido a cada um apresentar vantagens diferentes em rela‡Æo ao outro. Embora os dispositivos fabricados em substrato SOI apresentem algumas vantagens, como a excelente característica da inclina‡Æo de subliminar, valores de capacitâncias de fonte / dreno relativamente inferiores, e a elimina‡Æo do efeito de latch-up; quando o foco sÆo os efeitos de autoaquecimento (Self-Heating Effects, SHE), este tipo de substrato apresenta uma pior dissipa‡Æo térmica. A tecnologia FinFET fabricada em lâmina de silício (Bulk FinFET) apresenta uma elevada taxa de transferência de calor, e baixo custo. A fim de combinar as vantagens de ambos os tipos de substratos, o dispositivo com Fonte / Dreno em Silício sobre Isolante (SDSOI) e com Fonte / Dreno em Silício sobre Isolante Modificado (MSDSOI) foram estudados, com influência dos efeitos do autoaquecimento.

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Mestre em Engenharia Elétrica pelo Centro Universitário da FEI, atuando nos temas: simula‡Æo e modelagem de transistores Bulk / SOI FinFET. Graduado em Engenharia Elétrica com Ònfase em Eletrônica pela Universidade SÆo Judas Tadeu. Técnico em Eletrônica pelo Colégio Lavoisier. Atuando como professor, engenheiro, monitor de alunos e pesquisador.

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