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In den letzten Jahren wurde sehr viel über die Mn-dotierte Halbleitermaterialien (DMS sog. diluted magnetic semiconductors) veröffentlicht. Nach dem großen Fortschritt der experimentellen Herstellung solcher Systeme ist man auf eine Vielzahl interessanter Anwendungen und Effekte gestoßen. Ein wichtiges Gebiet der neuen Anwendungen ist die Herstellung von Spin-Transistoren oder von neuartigen Speichermedien (MRAM), sowie Spinfiltern und Spinqubits . Die Grundlage dieser Effekte bildet der Magnetismus. Durch die Veränderung verschiedener Parameter ist es gelungen den Magnetismus in DMS zu kontrollieren. Die Kernaussage dieser Arbeit ist es, dass die Magnetisierung stark vom Elektronenzustand abhängig ist. Wir konnten das Magnetisierungsverhalten in Abhängigkeit vom Einschlusspotential erklären und die Aussage von früheren Arbeiten bestätigen, dass die Magnetisierung eines Mn-dotierten Quantenpunktes durch das Zufügen eines einzelnen Elektrons verändert werden kann.

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Johann Gutjahr geboren am 16.07.1983. 2001-2004 Abitur an dem Engelbert-Kaempfer Gymnasium in Lemgo. 2004-2009 Physik Studium an der Universität Hamburg. 2009 bis heute Doktorand an der Universität Duisburg-Essen.

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