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Neuerscheinungen 2012

Stand: 2020-01-07
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Anton Heuberger

Mikromechanik


Mikrofertigung mit Methoden der Halbleitertechnologie
Herausgegeben von Heuberger, Anton
2012. xvii, 501 S. 257 SW-Abb. 244 mm
Verlag/Jahr: SPRINGER, BERLIN 2012
ISBN: 3-642-46622-2 (3642466222)
Neue ISBN: 978-3-642-46622-9 (9783642466229)

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Mikromechanik behandelt die physikalischen Grundlagen dieser jungen, zukunftsträchtigen Disziplin, ihre Technologie, aufbauend auf der Siliziumtechnologie, und ihre Nutzung in den verschiedensten Anwendungen der Bereiche Sensorik, Aktuatorik und integrierte Optoelektronik. Das Buch ist unentbehrlich für jeden, der sich intensiv mit der Mikromechanik befassen will; für den Studierenden ebenso wie für den Ingenieur in der Praxis oder den interessierten Laien.
1. Aufgabenstellung der Mikromechanik (Heuberger).- 2. Physikalische Grundlagen der Mikromechanik.- 2.1 Mechanische und thermische Eigenschaften von Strukturen und Materialien für die Mikromechanik (Bernt).- 2.1.1 Elastizitätstheorie für die Bauelemente der Mikromechanik.- 2.1.1.1 Elastizitätstheorie von Schalen und Balken.- 2.1.1.2 Torsion von Balken.- 2.1.1.3 Balkenschwingungen.- 2.1.2 Physikalische Eigenschaften von Materialien für die Mikromechanik.- 2.1.2.1 Elastische Konstanten.- 2.1.2.2 Mechanische Festigkeit von Silizium.- 2.1.2.3 Thermische Eigenschaften.- 2.1.2.4 Kurven und Tabellen zu Abschnitt 2.1.- 2.1.3 Literatur zu Abschnitt 2.1.- 2.2 Physikalische Effekte zur Signalwandlung (Benecke).- 2.2.1 Erfassung mechanischer Größen.- 2.2.1.1 Der piezoresistive Effekt.- 2.2.1.2 Der piezoelektrische Effekt.- 2.2.2 Erfassung thermischer Größen.- 2.2.2.1 Temperaturabhätigigkeit des elektrischen Widerstands.- 2.2.2.2 Seebeck-Effekt.- 2.2.2.3 Pyroelektrischer Effekt.- 2.2.2.4 Aktive Bauelemente.- 2.2.3 Literatur zu Abschnitt 2.2.- 3. Die Technologie der Mikromechanik.- 3.1 Abriß der Siliziumtechnologie als gemeinsame Grundlage von Mikroelektronik und Mikromechanik (Heuberger).- 3.1.1 Scheibenherstellung.- 3.1.2 Dotierung.- 3.1.3 Lithographie.- 3.1.4 Ätztechnik.- 3.1.5 Technologieverfahren zur Schichtabscheidung.- 3.1.5.1 Einkristalline Siliziumschichten.- 3.1.5.2 Isolator- und Polysiliziumschichten.- 3.1.5.3 Metallisierungstechnik.- 3.1.6 Literatur zu Abschnitt 3.1.- 3.2 Naßchemische Tiefenätztechnik (Seidel).- 3.2.1 Anisotrope Ätzverfahren.- 3.2.1.1 Abhängigkeit der Siliziumätzrate von Ätzzusammensetzung, Kristallrichtung und Temperatur.- 3.2.1.2 Dotierungsabhängigkeit der Siliziumätzrate.- 3.2.1.3 Ätzverhalten von Passivierungsschichten und Metallen.- 3.2.1.4 Elektrochemische Ätzverfahren.- 3.2.1.5 Mechanismus des Siliziumätzens.- 3.2.1.6 Anisotrope Ätzverfahren für Verbindungshalbleiter.- 3.2.2 Isotrope Ätzverfahren.- 3.2.2.1 Einfluß von Ätzzusammensetzung und Siliziumdotierung.- 3.2.2.2 Verhalten von Passivierungsschiehten.- 3.2.2.3 Isotrope elektrochemische Ätzverfahren.- 3.2.3 Literatur zu Abschnitt 3.2.- 3.3 Einsatz von Ionentechniken (Pelka/Weigmann).- 3.3.1 Physikalische Grundlagen des Sputterns (Pelka).- 3.3.2 Großflächige Verfahren.- 3.3.2.1 Herstellung von optischen Gittern.- 3.3.2.2 Herstellung von Fresnel-Zonenplatten durch Ionenstrahlätzung.- 3.3.2.3 Herstellung von Fresnel-Zonenplatten durch reaktive Ätzverfahren.- 3.3.2.4 Herstellung von Lochmasken.- 3.3.2.5 Herstellung von Laserspiegeln.- 3.3.2.6 Herstellung von Fluidverstärkern.- 3.3.2.7 Ringdüsen für Tintenstrahldrucker.- 3.3.2.8 Mechanische Bauteile.- 3.3.2.9 Oberflächenvergütung.- 3.3.2.10 Einsatz von hochenergetischen Schwerionen.- 3.3.3 Fokussierte Ionenstrahlen (Weigmann).- 3.3.3.1 Geräte für fokussierte Ionenstrahlen.- 3.3.3.2 Lokalisierte Oberflächenbearbeitung.- 3.3.4 Literatur zu Abschnitt 3.3.- 3.4 Neue Prozeßtechniken in der Mikromechanik (Csepregi).- 3.4.1 Beeinflussung mechanischer Spannungen in kristallinen und amorphen Schichten.- 3.4.1.1 Spannungskompensation in einkristallinen Siliziumschichten.- 3.4.1.2 Spannungseinstellung in amorphen Schichten mittels Ionenimplantation.- 3.4.2 Thermomigration.- 3.4.3 Feldunterstützte Verbindungstechniken.- 3.4.3.1 Silizium-Glas Verbindungen.- 3.4.3.2 Silizium-Silizium Verbindungen.- 3.4.4 Literatur zu Abschnitt 3.4.- 3.5 Tiefenlithographie und Abformtechnik (Huber/Betz).- 3.5.1 Einleitung.- 3.5.2 Grundlagen.- 3.5.3 Röntgenquelle.- 3.5.4 Belichtungseinrichtung.- 3.5.5 Röntgenmaske.- 3.5.6 Resistmaterialien.- 3.5.7 Galvanik.- 3.5.8 Abformtechnik.- 3.5.9 Zusammenfassung.- 3.5.10 Literatur zu Abschnitt 3.5.- 3.6 Laserinduzierte Prozesse (Petzold).- 3.6.1 Einleitung.- 3.6.2 Physikalische Grundlagen.- 3.6.2.1 Vorgänge beim Ätzen und Abscheiden.- 3.6.2.2 Photolytische Prozesse.- 3.6.2.3 Pyrolytische Prozesse.- 3.6.2.4 Photolytische und pyrolytische Verfahren im Verg