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Schwerpunkte in Band 2 bilden das Aufdampfen im Hochvakuum, das Ionenplattieren, die Kathodenzerstäubung, teilchengestützte Verfahren, die Erzeugung von Mikrostrukturen, Plasmabehandlungsverfahren und die Abscheidung aus der Gasphase (CVD).

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´1 Vakuumbeschichtungsverfahren - Übersicht.- 2 Bedeutung der Vakuumtechnik für die Beschichtungstechnik.- 2.1 Vorbemerkungen.- 2.2 Einfluß der Restgase auf die Schichtreinheit.- 2.3 Vakuumerzeugung.- 2.4 Vakuummessung.- 2.4.1 Wärmeleitungsvakuummeter.- 2.4.2 Reibungsvakuummeter.- 2.4.3 Kaltkatoden-Ionisationsvakuummeter.- 2.4.4 Ionisationsvakuummeter mit Glühkatode.- 2.4.5 Totaldruckmessung bei Beschichtungsprozessen.- 2.4.5.1 Konventionelle Katodenzerstäubung.- 2.4.5.2 Reaktive Katodenzerstäubung.- 2.4.5.3 Konventioneles Aufdampfen.- 2.4.5.4 Reaktives Aufdampfen.- 2.4.6 Partialdruckmessung.- 3 Aufdampfen im Hochvakuum.- 3.1 Vorbemerkungen.- 3.2 Physikalische Grundlagen.- 3.2.1 Verdampfungsprozeß.- 3.2.2 Transportphase.- 3.2.3 Kondensationsphase.- 3.3 Anlagentechnik.- 3.3.1 Vorbemerkungen.- 3.3.2 Zubehör zu Aufdampfanlagen.- 3.3.2.1 Verdampfungsquellen.- 3.3.2.1.1 Allgemeines.- 3.3.2.1.2 Widerstandsbeheizte Verdampfungsquellen.- 3.3.2.1.3 Elektronenstrahlverdampfer.- 3.3.2.1.4 Sonstige Verdampfungsquellen.- 3.3.2.1.5 Verdampfen von verschiedenen Materialien.- 3.3.2.2 Substrathalter.- 3.3.2.3 Substratheizung.- 3.3.2.4 Glimmeinrichtung.- 3.3.2.5 Testglaswechsler.- 3.3.2.6 Blenden.- 3.3.2.7 Schichtdickenmeßgeräte.- 3.3.2.8 Vakuumausrüstung.- 3.3.2.9 Weiteres Zubehör zu Aufdampfanlagen.- 3.3.3 Anlagen zum Herstellen optischer Schichten.- 3.3.3.1 Grundsätzliches.- 3.3.3.2 Wichtige Verfahrenshinweise.- 3.3.3.2.1 Vakuumbedingungen.- 3.3.3.2.2 Schichtdickengleichmäßigkeit.- 3.3.3.3 Anlagentechnik.- 3.3.4 Anlagen zum Metallisieren von Kunststoffteilen.- 3.3.4.1 Allgemeines.- 3.3.4.2 Einfluß von Kunststoffeigenschaften auf den Beschichtungsprozeß.- 3.3.4.3 Anlagentechnik.- 3.3.5 Anlagen zum Beschichten von Papier- und Kunststoffolien.- 3.3.5.1 Übersicht.- 3.3.5.2 Anlagenkonzeption und Prozeßablauf.- 3.3.5.3 Ausführungsformen von semikontinuierlich betriebenen Folienbeschichtungsanlagen.- 3.3.6 Anlagen zum Beschichten großer Flächen.- 4 Ionenplattieren.- 4.1 Einleitung.- 4.2 Ionenplattierungsprozeß.- 4.2.1 Plasmaphysikalische Grundlagen.- 4.2.2 Reinigung der Substratoberfläche.- 4.2.3 Gefügestruktur der ionenplattierten Schichten.- 4.2.4 Haftfestigkeit ionenplattierter Schichten.- 4.2.5 Reaktives Ionenplattieren.- 4.3 Anlagentechnik.- 4.3.1 Materialquellen für das Ionenplattieren.- 4.3.2 Ionisierungserhöhung beim Ionenplattieren.- 4.3.3 Alternierendes Ionenplattieren.- 4.4 Entwicklungsstand und Ausblick.- 5 Ionenzerstäubung von Festkörpern (Sputtering).- 5.1 Einführung.- 5.2 Beschreibung des Zerstäubungsprozesses.- 5.2.1 Zur Theorie der Festkörperzerstäubung durch Teilchenbeschuß.- 5.2.2 Numerische Näherungen.- 5.2.3 Zerstäubungsausbeuten elementarer Targets bei senkrechtem Ionenbeschuß.- 5.2.3.1 Abhängigkeit von der Beschußenergie.- 5.2.3.2 Abhängigkeit von Ytot vom Targetmaterial und der Beschußteilchenart.- 5.2.4 Beschußwinkelabhängigkeit der Zerstäubungsausbeute.- 5.2.5 Zerstäubung nichtelementarer Targets und partielle Zerstäubungsausbeuten.- 5.2.6 Energie- und Winkelverteilung bei der Festkörperzerstäubung.- 5.2.6.1 Winkelverteilungen gesputterter Teilchen.- 5.2.6.2 Energieverteilungen zerstäubter Neutralteilchen.- 5.2.7 Einkristalline Effekte bei der Festkörperzerstäubung.- 5.2.8 Zusätzliche Effekte beim Teilchenbeschuß von Festkörperoberflächen.- 5.3 Plasmagestützte Zerstäubungsverfahren.- 5.3.1 Plasmaphysikalische Grundlagen von Zerstäubungsanlagen.- 5.3.2 Ausführungsformen von Zerstäubungsanlagen.- 5.4 Anlagentechnik.- 5.4.1 Grundsätzliches.- 5.4.2 Einkammeranlagen.- 5.4.2.1 Allgemeines.- 5.4.2.2 Ausführungsformen von Einkammeranlagen.- 5.4.2.3 Anlagenzubehör.- 5.4.2.3.1 Vakuumausrüstung.- 5.4.2.3.2 Katoden.- 5.4.2.3.3 Blenden.- 5.4.2.3.4 Infrarotheizung.- 5.4.2.3.5 Raten- und Schichtdickenmeßgeräte.- 5.4.3 Zweikammeranlagen.- 5.4.4 Mehrkammeranlagen.- 6 Teilchenstrahlgestützte Verfahren.- 6.1 Einleitung.- 6.2 Teilchenstrahlquell

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