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Dieses Buch beschreibt kompetent und umfassend die aktuellen Technologien zur Herstellung von hochintegrierten Schaltungen bis zur Prozeßintegration für den 256-Mbit-Speicher. Es wendet sich damit an fortgeschrittene Studenten sowie Ingenieure und Naturwissenschaftler in Forschung, Entwicklung und Fertigung. Die gewaltigen Entwicklungen in der Prozeßtechnologie der letzten Jahre finden sich in dieser Neuauflage wieder: Planarisierungstechniken, neue Materialien wie Refraktärmetalle, modernste Prozeßarchitekturen für CMOS-, Bipolar-, BICMOS- und Smart-Power-Technologien. Hinzu kommen wesentlich verbesserte Einzelprozesse in Schichttechnik, Lithographie, Ätztechnik und Dotiertechnik mit selbstjustierenden Verfahren. Die Autoren, selbst aktiv an diesen Fortschritten beteiligt, geben Informationen aus erster Hand.

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1 Einleitung.- 2 Grundzüge der Technologie von Integrierten Schaltungen.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Schichttechnik.- 3.1 Verfahren der Schichterzeugung.- 3.1.1 CVD-Verfahren.- 3.1.2 Thermische Oxidation.- 3.1.3 Aufdampfverfahren.- 3.1.4 Sputterverfahren.- 3.1.5 Schleuderbeschichtung.- 3.1.6 Schichterzeugung mittels Ionenimplantation.- 3.1.7 Schichterzeugung mittels Wafer-Bonding und Rückätzen.- 3.1.8 Temperverfahren.- 3.2 Die monokristalline Siliziumscheibe.- 3.2.1 Geometrie und Kristallographie von Siliziumscheiben.- 3.2.2 Dotierung von Siliziumscheiben.- 3.2.3 Zonengezogenes und tiegelgezogenes Silizium.- 3.3 Epitaxieschichten.- 3.3.1 Anwendung von Epitaxieschichten.- 3.3.2 Diffusion von Dotieratomen aus dem Substrat in die Epitaxieschicht.- 3.4 Thermische SiO2-Schichten.- 3.4.1 Anwendung von thermischen SiO2-Schichten.- 3.4.2 Die LOCOS-Technik.- 3.4.3 Charakterisierung von dünnen thermischen SiO2-Schichten.- 3.5 Abgeschiedene SiO2-Schichten.- 3.5.1 Erzeugung von abgeschiedenen SiO2-Schichten.- 3.5.2 Anwendung abgeschiedener SiO2-Schichten.- 3.5.3 Spacertechnik.- 3.5.4 Grabenisolation.- 3.5.5 SiO2-Isolationsschichten für die Mehrlagenverdrahtung.- 3.6 Phosphorglasschichten.- 3.6.1 Erzeugung von Phosphorglasschichten.- 3.6.2 Flow-Glas.- 3.6.3 Thermisches Phosphorglas.- 3.7 Siliziumnitridschichten.- 3.7.1 Erzeugung von Siliziumnitridschichten.- 3.7.2 Nitridschichten als Oxidationssperre.- 3.7.3 Nitridschichten als Kondensator-Dielektrikum.- 3.7.4 Nitridschichten als Passivierung.- 3.8 Polysiliziumschichten.- 3.8.1 Erzeugung von Polysiliziumschichten.- 3.8.2 Kornstruktur von Polysiliziumschichten.- 3.8.3 Leitfähigkeit von Polysiliziumschichten.- 3.8.4 Anwendung von Polysiliziumschichten.- 3.9 Silizidschichten.- 3.9.1 Erzeugung von Silizidschichten.- 3.9.2 Polyzidschichten.- 3.9.3 Silizierung von Source/Drain-Bereichen.- 3.10 Refraktär-Metallschichten.- 3.11 Aluminiumschichten.- 3.11.1 Erzeugung von Aluminiumschichten.- 3.11.2 Kristallstruktur von Aluminiumschichten.- 3.11.3 Elektromigration in Aluminiumleiterbahnen.- 3.11.4 Aluminium-Siliziumkontakte.- 3.11.5 Aluminium-Aluminium-Kontakte.- 3.12 Organische Schichten.- 3.12.1 Spin-on-Glasschichten.- 3.12.2 Polyimidschichten.- 3.13 Literatur zu Kapitel 3.- 4 Lithographie.- 4.1 Strukturgröße, Lagefehler und Defekte.- 4.2 Photolithographie.- 4.2.1 Photoresistschichten.- 4.2.2 Ausbildung von Photoresiststrukturen.- 4.2.3 Schwankung der Lichtintensität im Photoresist.- 4.2.4 Spezielle Photoresisttechniken.- 4.2.5 Optische Belichtungsverfahren.- 4.2.6 Auflösungsvermögen der lichtoptischen Belichtungsgeräte.- 4.2.7 Justiergenauigkeit von lichtoptischen Belichtungsgeräten.- 4.2.8 Defekte bei der lichtoptischen Lithographie.- 4.3 Röntgenlithographie.- 4.3.1 Wellenlängenbereich für die Röntgenlithographie.- 4.3.2 Röntgenresists.- 4.3.3 Röntgenquellen.- 4.3.4 Röntgenmasken.- 4.3.5 Justierverfahren der Röntgenlithographie.- 4.3.6 Strahlenschäden bei der Röntgenlithographie.- 4.3.7 Chancen der Röntgenlithographie.- 4.4 Elektronenlithographie.- 4.4.1 Elektronenresists.- 4.4.2 Auflösungsvermögen der Elektronenlithographie.- 4.4.3 Elektronenstrahlschreibgeräte.- 4.4.4 Elektronenprojektionsgeräte.- 4.4.5 Justierverfahren der Elektronenlithographie.- 4.4.6 Strahlenschäden bei der Elektronenlithographie.- 4.5 Ionenlithographie.- 4.5.1 Ionenresists.- 4.5.2 Ionenstrahlschreiben.- 4.5.3 Ionenstrahlprojektion.- 4.5.4 Auflösungsvermögen der Ionenlithographie.- 4.6 Strukturerzeugung ohne Lithographie.- 4.7 Literatur zu Kapitel 4.- 5 Ätztechnik.- 5.1 Naßätzen.- 5.1.1 Naßchemisches Ätzen.- 5.1.2 Chemisch-Mechanisches Polieren.- 5.2 Trockenätzen.- 5.2.1 Physikalisches Trockenätzen.- 5.2.2 Chemisches Trockenätzen.- 5.2.3 Chemisch-Physikalisches Trockenätzen.- 5.2.4 Chemische Ätzreaktionen.- 5.2.5 Ätzgase.- 5.2.6 Prozeßoptimierung.- 5.2.7 Endpunkterkennung.- 5.3 Trockenätzprozesse.- 5.3.1 Trockenätzen von Siliziumnitrid.- 5.3.2 Trockenätzen von Polysilizium.- 5.

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