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L´élaboration des couches InGaAs de bonne qualité sur des substrats GaAs par EPVOM passe par l´optimisation des conditions et des paramètres de croissance. La réflectométrie laser (632.8 nm) présente une solution adéquate permettent le suivi in situ de l´épitaxie. La modélisation des signaux de réflectivité permet la détermination de certains paramètres tels que les constantes optiques et les épaisseurs des matériaux. L´utilisation de la photoluminescence et de la diffraction des rayons x à haute résolution aide à une meilleure compréhension des propriétés optiques, morphologiques et structurales des hétérostructures à base d´InGaAs/GaAs. Cette étude constitue un prélude pour aborder les quaternaires InGaAsX (avec X = Bi,N) grâce à leur intérêt particulier dans la réalisation des dispositifs en optoélectronique. De plus, la structure InGaAs/GaAs constitue un exemple typique pour étudier les contraintes, le phénomène de ségrégation et les structures quantiques. Cet ouvrage s´adresse aux étudiants des troisièmes cycles universitaires ainsi qu´aux chercheurs et ingénieurs se perfectionnant dans ce domaine.

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