---

Kantenisolation von monokristallinen Solarwafern auf Basis von thermisch angeregten Ätzpasten mittels CO2-Laser. Über Anregung einer KOH-Paste wurde selektiv Silizium am Rand eines Wafer zur Erzeugung einer Isolationskante geätzt. In Abhängigkeit des Isolationsgrades wurden die Spurbreiten der aufgetragenenen Paste sowie die Laserparameter Intensität und Vorschubgeschindigkeit untersucht. Dabei wurde gezeigt, dass die Wafer unter bestimmten Parameter isoliert werden können.

---