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Cette étude est une tentative d épitaxie par ablation laser de l oxyde de forte permittivité Ba0.6Sr0.4TiO3 (BST) sur silicium en vue de l intégration de condensateurs de forte capacité. Nous montrons d abord l effet bénéfique d une croissance de BST orientée selon les plans (h00) sur substrat monocristallin SrTiO3(100) sur la valeur de la permittivité du film. Comme par ailleurs nous confirmons que la croissance du BST sur substrat Pt(111)/TiOx/SiO2/Si (0x2) n est pas épitaxiale mais principalement contrôlée par des mécanismes de diffusion de titane et d oxygène, nous cherchons finalement à optimiser la croissance orientée selon son axe-c de l oxyde La0.9Sr1.1NiO4 sur silicium : cet oxyde conducteur (1 mohm.cm) joue le rôle de patron d épitaxie pour le BST. Nos mesures électriques indiquent que la qualité d orientation du BST doit encore être améliorée en vue d obtenir d excellentes propriétés diélectriques.

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