---

Ce travail concerne le développement et l évaluation de nitrures d éléments III épitaxiés sur substrat de silicium (111). L objectif de notre travail était la réalisation et l étude d hétérostructures (Al,Ga)N/GaN en vue d évaluer leurs potentialités pour deux types d applications. La première concerne les microcavités destinées à l étude du couplage exciton-photon et à la fabrication de diodes électroluminescentes à cavité résonante (DELs-CR). La seconde a trait aux dispositifs hyperfréquences de type transistors à gaz 2D d électrons. Le chapitre I est consacré à la description d un procédé de croissance de GaN sur Si par epitaxie sous jets moléculaires, L étude des propriétés électriques et optiques d hétérostructures (Al,Ga)N/GaN est reportée au chapitre II. Dans le chapitre III nous proposons et développons un moyen de contrôler la contrainte dans les superréseaux (Al,Ga)N/GaN. De tels superréseaux sont élaborés pour la fabrication de DELs-CR émettant dans le bleu. Finalement, le régime de couplage fort exciton-photon est pour la première fois mis en évidence dans les nitrures d éléments III.

---