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Ce travail consiste à l´asservissement et la mise en marche d´un réacteur d´épitaxie par jets chimiques au Laboratoire d´Épitaxie Avancée de l´Université de Sherbrooke. Le réacteur sert à la croissance dans l´ultravide de matériaux semi-conducteurs tels que l´arséniure de gallium (GaAs) et le phosphure d´indium-gallium (GaInP). La programmation LabVIEW et du matériel informatique de National Instruments sont utilisés pour asservir entre autres l´injection des gaz et la température d´opération. Des améliorations apportées au réacteur sont décrites, notamment les systèmes d´injection et de pompage. Des croissances de GaAs(100) sur substrat de même nature révèlent un matériau de bonne qualité. La rugosité et le comportement en dopage p et n sont rapportés. De même, les propriétés de GaInP sur GaAs, premier matériau ternaire crû au laboratoire, sont rapportées. Finalement, la mise en marche du réacteur d´épitaxie par jets chimiques permet maintenant à cinq étudiants gradués de faire progresser des projets reliés directement à la croissance épitaxiale au Laboratoire d´Épitaxie Avancée de l´Université de Sherbrooke.

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