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O emprego de circuitos em altas temperaturas representa um dos maiores problemas para a utiliza‡Æo da tecnologia MOS convencional, devido à excessiva eleva‡Æo da corrente de fuga nas jun‡äes, que aumenta a potência dissipada durante o desligamento dos transistores e provoca a degrada‡Æo da tensÆo de limiar nestes dispositivos. Sob este aspecto, há relatos mostrando que a tecnologia SOI apresenta-se como uma excelente alternativa à tecnologia MOS convencional, devido à significativa redu‡Æo da corrente de fuga das jun‡äes e da menor varia‡Æo da tensÆo de limiar com a temperatura. Este trabalho investiga o comportamento do SOI nMOSFET de canal Delta totalmente depletados, submetidos a temperaturas que variam desde a ambiente até 300
C, dando um enfoque especial para o estudo do comportamento das correntes de fuga em fun‡Æo da temperatura, sendo assim, realizou-se uma série de simula‡äes numéricas tridimensionais variando-se as dimensäes geométricas dos dispositivos, Isto é, a largura do canal (W) e o comprimento (L), para verificar qual o comportamento elétrico demonstrado por estes transistores quando operando em tais condi‡äes.

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Mestre em Engenharia Elétrica - Microeletrônica (2012) pelo Centro Universitário da FEI. Pós-graduado em Forma‡Æo de Docentes para o Ensino Superior pela Universidade UNINOVE (2010). Graduado em Engenharia Elétrica com Ònfase Eletrônica/Computadores pelo Centro Universitário da FEI (1994).

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