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Des échantillons de Cu/Au,Au/Cu et Pd/Au sur Si(100),Si(111) ont été élaborés par évaporation thermique ensuite recuit sous vide entre 100-650°C/30min. La caractérisation de ces échantillons a été effectuée par la rétrodiffusion de Rutherford RBS,la diffraction des rayons X,la microscopie életronique à balayage avec l´énergie dispersive à rayons X qui lui est associée. L´approche de cette étude est de voir si la couche d´or interposée en sandwich joue le role d´une barrière de diffusion quand la température de la structure augmente. Après recuit thermique, pour le système Cu/Au et Au/Cu, la coalescence des couches de Cuivre et d´Or conduit vers la formation des siliciures de Cuivre Cu3Si et/ou Cu4Si sous forme de cristallites de formes rectangulaires et carrées sur Si(100) et triangulaire équilatéraux sur Si(111).De même pour la structure Pd/Au,la coalescence du Palladium et l´Or conduit à la croissance de siliciures Pd2Si et/ou PdSi sous forme de micro-cristallites de forme triangulaire équilatéral sur Si(111),tandis que sur Si(100) on enregistre la formation de nanocrystallites sans aucune forme particulière.La croissance de ces composés pour les deux structures.

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