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L intégration de matériaux ferromagnétiques dans des hétérostructures semi-conductrices offre de nouvelles perspectives en spintronique, domaine émergent qui exploite le spin et la charge de l´électron. Dans ce manuscrit sont présentés les résultats de la croissance par épitaxie par jets moléculaires d hétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge. L avantage du composé ferromagnétique Mn5Ge3 est de pouvoir s intégrer directement au Ge, semi-conducteur à fort potentiel pour le développement d une nouvelle génération de transistors plus performants. Un fort accent a été mis sur les caractérisations structurales et la détermination des relations d´épitaxie du Mn5Ge3 avec le Ge(111) afin de les relier aux propriétés magnétiques. La seconde partie a été consacrée à l´étude des processus cinétiques d´incorporation de carbone dans les couches minces de Mn5Ge3 afin de contrôler ses propriétés magnétiques et sa stabilité thermique. Tous les résultats indiquent que la structure hybride Mn5Ge3/Ge est un candidat prometteur pour réaliser l´injection, la manipulation et la détection de spin dans les semi-conducteurs et ainsi développer des composants ayant des fonctionnalités nouvelles.

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