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En couche mince Fe _(2-x) Ti _x O_(3- ) (x=0.5, 0.7 et 1) présente, selon la st chiométrie et la croissance (sur - Al _2 O_3 (0001) suivant l´axe c de la structure hexagonale), un potentiel intéressant pour la spintronique. Dans la symétrie R3 c les cations occupent indifféremment 2/3 des sites octaédriques disponibles. Le volume de la maille cristalline augmente avec et x. · température ambiante le matériau est ferrimagnétique (x=0.5 et 0.7), une transition de phase isolant semi-conducteur dopé apparaît avec une bande d´absorption lorsque augmente et x diminue. Son origine serait une bande d´impuretés BI (lacunes d´oxygène) dans le gap direct. Mais sa position (~0.6 eV sous la bande de conduction BC) est trop profonde pour expliquer une conduction par activation thermique ( _A 105 meV) des porteurs (loi Arrhenius). Des niveaux discrets dont l´absorption est masquée par BI existeraient donc au-dessous de BC. · basse température (T 110 K), la conduction par sauts domine l´activation thermique. D´autres niveaux d´énergie sont sollicités ( _A 52 meV) et une transition magnétique super-échange double-échange (axe facile hors du plan) engendre une magnétorésistance.

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