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A redu‡Æo das dimensäes dos dispositivos semicondutores para escalas submicrométricas impäe diversos desafios no projeto de circuitos integrados. O impacto das varia‡äes intrínsecas afetando parâmetros elétricos cresce em importância à medida que a área dos dispositivos adentra a faixa nanométrica. Dentre essas varia‡äes estÆo flutua‡äes nas tensäes e correntes de terminal causadas pelas diferentes formas de ruído intrínseco dos dispositivos MOS. Este trabalho apresenta um estudo sobre o impacto do ruído elétrico no desempenho de circuitos MOS. Um novo modelo para simula‡Æo do Random Telegraph Signal (RTS) no domínio do tempo é utilizado. Uma metodologia de simula‡Æo para contabilizar o ruído térmico em simula‡äes transientes também é proposta. A partir desses modelos de simula‡Æo de dispositivos, o trabalho de pesquisa analisa o impacto da variabilidade de parâmetros elétricos em nível de circuito. As simula‡äes focam na caracteriza‡Æo da pureza espectral em osciladores em anel de sinal diferencial. Diversas topologias sÆo apresentadas e posteriormente comparadas em termos do jitter no período de oscila‡Æo.

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Engenheiro eletricista graduado pela Universidade Federal do Rio Grande do Sul e pela Ecole Centrale de Marseille, possui mestrado em Engenharia Elétrica também pela UFRGS e MBA em Gerenciamento Internacional pela Université Paris-Dauphine e pela Sorbonne Graduate Business School, além de vários anos de experiência como engenheiro de projetos.

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