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Neste trabalho é apresentado o estudo e a caracteriza‡Æo da eletrodeposi‡Æo do material semicondutor CdTe sobre o substrato platina a temperatura ambiente (24°C) a partir de eletrólito ácido-sulfato. Para esse efeito, foram utilizadas as técnicas eletroquímicas associadas à técnica de difratometria de raios-X, Microscopia eletrônica de varredura (MEV) e Medidas de capacitância. Foram verificados que os valores de potencial iguais a -114, -151, -205, -271 e -352 mV, onde ocorrem etapas distintas do processo global da deposi‡Æo do CdTe. O surgimento do pico catódico e a posterior forma‡Æo de um patamar de corrente, sugerem que está ocorrendo o controle misto no processo de deposi‡Æo do filme de CdTe, sejam estes, controle por ativa‡Æo e controle por transporte de massa na solu‡Æo. Por outro lado, o aparecimento do pico anódico em valores de potencial positivo indica a dissolu‡Æo completa do material. A partir dos valores indicados de potencial, foi conduzida a técnica potenciostática. Foi notado que o aumento da carga depositada de CdTe é diretamente proporcional ao aumento do potencial catódico de deposi‡Æo.

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