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Atualmente alguns dispositivos semicondutores sÆo capazes de conduzir elevadas correntes e suportar grandes tensäes quando bloqueados. Como exemplos podem-se citar: IGBT, IGCT, GCT, GTO e SCR. Entretanto, em algumas aplica‡äes sÆo requeridas tensäes e correntes que vÆo além do valor máximo permitido para estes dispositivos. Uma alternativa para diminuir os esfor‡os nestes dispositivos seria o emprego dos inversores multiníveis. Estes inversores têm como principal característica, obter uma forma de onda com diversos níveis de tensÆo na carga. As vantagens das estruturas multiníveis incluem qualidade na alimenta‡Æo, excelente distribui‡Æo de tensÆo nos interruptores, boa compatibilidade eletromagnética, baixa perda de comuta‡Æo e capacidade de trabalhar em altas tensäes e potências. O Inversor Multinível em Cascata é um dos inversores multiníveis mais utilizados na indústria, entretanto, o mesmo é patenteado. Assim, neste documento é apresentada uma versÆo nÆo patenteada deste inversor utilizando células de comuta‡Æo em série.

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O autor possui gradua‡Æo (2007) e mestrado (2009) em engenharia elétrica pela Universidade Federal de Santa Catarina (UFSC) e doutorado (2013) em engenharia elétrica pela Eindhoven University of Technology (The Netherlands) na área de concentra‡Æo de eletrônica de potência. Atualmente, é professor efetivo no Centro Tecnológico de Joinville na UFSC.

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