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Os defeitos em semicondutores acarretam mudan‡as nas propriedades físicas do material, tendo uma grande importância nos semicondutores que possuem alta energia de gap devido à possibilidade de aplica‡Æo em alta temperatura. No presente trabalho, estudamos as características atribuídas à presen‡a de defeitos em diferentes semicondutores de gap largo, crescidos/sintetizados por rea‡Æo de estado sólido, método de Pechini e epitaxia de feixes moleculares. Este trabalho evidencia a importância da engenharia de defeitos em semicondutores de gap largo para o aperfei‡oamento de tecnologias ligadas à área de optoeletrônica e spintrônica.

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Leonilson K. S. Herval é Bacharel em Física Biológica, Mestre em Física e Doutor em Física da Matéria Condensada. Atualmente (2017) é professor adjunto da Universidade Federal de Lavras, onde desenvolve pesquisas relacionadas a síntese e caracteriza‡Æo de óxidos semicondutores e compósitos de polímeros/óxidos.

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